发明名称 |
非挥发性记忆体电路及其设定方法 |
摘要 |
一种非挥发性记忆体电路,是由多组记忆单元组成,每一组记忆单元包括第一开关、第二开关、数据线,以及多个叠接记忆元件。其中,第一开关的第一端耦接至第一电压源。数据线包括一电容且耦接至第一开关的第二端。第二开关的第一端耦接至数据线。此外,在多个叠接记忆元件中,每一个记忆元件的第三端耦接至下一级记忆元件的第一端,每一个记忆元件的第二端耦接至第二电压源。 |
申请公布号 |
CN100562943C |
申请公布日期 |
2009.11.25 |
申请号 |
CN200510108094.5 |
申请日期 |
2005.09.29 |
申请人 |
旺宏电子股份有限公司 |
发明人 |
叶致锴 |
分类号 |
G11C16/02(2006.01)I;H01L27/115(2006.01)I |
主分类号 |
G11C16/02(2006.01)I |
代理机构 |
北京中原华和知识产权代理有限责任公司 |
代理人 |
寿 宁;张华辉 |
主权项 |
1、一种非挥发性记忆体电路,由多组记忆单元组成,其特征在于每一记忆单元包括:一第一开关,该第一开关的第一端耦接至一第一电压源;一数据线,该数据线耦接至该第一开关的第二端,其中该数据线包括一寄生电容以储存该第一电压源所提供的电荷;一第二开关,该第二开关的第一端耦接至该数据线;以及多个叠接记忆元件,每一记忆元件的第三端耦接下一级的该记忆元件的第一端,每一记忆元件的第二端耦接一第二电压源,其中,该些记忆元件中第一级的该记忆元件的第一端耦接至该第二开关的第二端。 |
地址 |
中国台湾 |