半导体结构

摘要

本发明提供一种半导体结构，包括静态随机存取存储器(SRAM)单元、第一金属层、层间介电材料(ILD)，第一第一层接触区、第二第一层接触区以及第二层接触区。SRAM单元包括第一上拉MOS装置、第一下拉MOS装置以及第一通栅MOS装置；层间介电材料位于第一金属层下方，且层间介电材料包括一层间介电材料相对高部分与一层间介电材料相对低部分；第一第一层接触区位于层间介电材料相对低部分，并且耦接第一上拉MOS装置、第一下拉MOS装置以及第一通栅MOS装置之中至少两个装置；第二第一层接触区位于层间介电材料相对低部分；第二层接触区位于层间介电材料相对高部分。

主权项

1.一种半导体结构，包括：一静态随机存取存储器单元，包括一第一上拉金属氧化物半导体装置、一第一下拉金属氧化物半导体装置与一第一通栅金属氧化物半导体装置；一第一金属层；一层间介电材料，位于所述第一金属层下方，其中所述层间介电材料包括一层间介电材料相对高部分与一层间介电材料相对低部分；一第一第一层接触区，位于所述层间介电材料相对低部分，并耦接所述第一上拉金属氧化物半导体装置、所述第一下拉金属氧化物半导体装置以及所述第一通栅金属氧化物半导体装置中至少两个装置；一第二第一层接触区，位于所述层间介电材料相对低部分；以及一第二层接触区，位于所述层间介电材料相对高部分，至少具有一部分位于所述第二第一层接触区之上，其中所述第二层接触区耦接所述第二第一层接触区至一位线或一电源线，且所述第二层接触区与所述第一第一层接触区实体绝缘。