| 发明名称 | 曝光对准方法和曝光设备 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种曝光对准方法和曝光设备。在曝光对准方法中，确定第一偏移量，所述第一偏移量表示曝光目标衬底的下层图案从初始点位置的偏移量；确定第二偏移量，所述第二偏移量表示在处理所述曝光目标衬底之前已经处理了的至少一个过去批次中的下层图案从所述初始点位置的偏移量。计算第三偏移量，所述第三偏移量表示所述第一偏移量和所述第二偏移量之间的差，并基于所述第三偏移量确定第一校正值。基于所述第一校正值，调节曝光目标图案的曝光位置。 | ||
| 申请公布号 | CN101587307A | 申请公布日期 | 2009.11.25 |
| 申请号 | CN200910138942.5 | 申请日期 | 2009.05.21 |
| 申请人 | 恩益禧电子股份有限公司 | 发明人 | 山中英一郎 |
| 分类号 | G03F9/00(2006.01)I;G03F7/20(2006.01)I;G05D3/12(2006.01)I | 主分类号 | G03F9/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 孙志湧;穆德骏 |
| 主权项 | 1.一种曝光对准方法，包括：确定第一偏移量，所述第一偏移量表示曝光目标衬底的下层图案从初始点位置的偏移量；确定第二偏移量，所述第二偏移量表示在处理所述曝光目标衬底之前已经处理了的至少一个过去批次中的下层图案从初始点位置的偏移量；计算第三偏移量，所述第三偏移量表示第一偏移量和第二偏移量之间的差；基于第三偏移量，确定第一校正值；以及基于第一校正值，调节曝光目标图案的曝光位置。 | ||
| 地址 | 日本神奈川 | ||