| 发明名称 | 双面离子源 | ||
| 摘要 | 公开了一种离子源，包括：板状的源体，所述源体在两个侧面都具有放射性；并且所述源体形成为允许正负离子穿越源体。本发明的离子源结构能够增强样品分子的电离效率，形成的样品离子集中分布在源体两侧的扁平空间内，这种离子云分布有利于提高IMS的灵敏度。另外，由于源体本身具有一定的透过率，在源体两侧产生的正负离子可以穿过源体，被分离到源体的两侧，因此能够有效地提高离子的利用效率。 | ||
| 申请公布号 | CN101587815A | 申请公布日期 | 2009.11.25 |
| 申请号 | CN200810111942.1 | 申请日期 | 2008.05.19 |
| 申请人 | 同方威视技术股份有限公司 | 发明人 | 陈志强;李元景;彭华;张清军;林津;毛绍基;代主得;曹士娉;张仲夏;张阳天;林德旭;王清华;王少锋;李徽 |
| 分类号 | H01J49/10(2006.01)I;H01J37/08(2006.01)I;H01J27/02(2006.01)I;H01J49/40(2006.01)I | 主分类号 | H01J49/10(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 王波波 |
| 主权项 | 1、一种离子源，包括：板状的源体，所述源体在两个侧面都具有放射性，并且所述源体形成为允许正负离子穿越源体。 | ||
| 地址 | 100084北京市海淀区双清路同方大厦A座2层 | ||