降低应力的介电层结构及其制造方法

摘要

本发明降低应力的介电层结构及其制造方法，集成电路组件上设有焊垫以及一护层以及第一介电层，该护层覆盖于集成电路组件表面，而第一介电层则覆盖于护层表面，且护层以及第一介电层并暴露该焊垫，而第一介电层上并设有与焊垫藉由凸块下金属层(UBM)及后续电镀金属层与原始焊垫连接的重配置焊垫；其中，该第一介电层形成有复数穿槽，各穿槽贯穿第一介电层的上下表面并将该第一介电层分割成复数区块，利用各不连续的区块降低第一介质层于熟化后产生的收缩应力，并透过各穿槽缓冲该第一介质层的热膨胀，以防止晶圆薄化及切割后产生晶粒弯曲的现象。

主权项

1、一种降低应力的介电层结构，该集成电路组件上设有焊垫以及一护层以及第一介电层，该护层覆盖于集成电路组件表面，而第一介电层则覆盖于护层表面，且护层以及第一介电层并暴露该焊垫，而第一介电层上并设有与焊垫连接的重配置焊垫；其特征在于：该第一介电层形成有至少二个穿槽，使该第一介电层形成复数不连续的区块。