| 发明名称 | 一种二阶非线性激光材料4-硝基-N-氧-2-吡啶甲酸二代晶体的生长方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开一种新型的二阶非线性激光材料4-硝基-N-氧-2-吡啶甲酸二代晶体的生长方法，其将4-硝基-N-氧-2-吡啶甲酸POA溶于醇水混合溶剂中，甲醇∶水＝1∶1，室温下蒸发至饱和，取出饱和POA溶液置于比色皿中，比色皿外侧施加36V的直流电压，蒸发，生长出籽晶，然后将籽晶转移到培养槽，同样溶剂蒸发得到柱状4-硝基-N-氧-2-吡啶甲酸二代晶体。该晶体属于正交晶系，空间群为P 2<sub>1</sub>2<sub>1</sub>2<sub>1</sub>，晶体学参数：a＝5.5509，b＝9.8139，c＝13.2554，V＝722.1<sup>3</sup>，Z＝4。该晶体熔点达到162.5-163.5℃，优于POA和POM。该晶体用于将波长为1064nm的激光转换至532nm。 | ||
| 申请公布号 | CN100562792C | 申请公布日期 | 2009.11.25 |
| 申请号 | CN200710008940.5 | 申请日期 | 2007.04.29 |
| 申请人 | 华侨大学 | 发明人 | 吴文士;戴劲草;林建明;黄婷婷;兰心仁 |
| 分类号 | G02F1/361(2006.01)I;C07D213/89(2006.01)I;C30B7/02(2006.01)I | 主分类号 | G02F1/361(2006.01)I |
| 代理机构 | 泉州市文华专利代理有限公司 | 代理人 | 陈雪莹 |
| 主权项 | 1、一种二阶非线性激光材料4-硝基-N-氧-2-吡啶甲酸二代晶体的生长方法，其特征在于：将4-硝基-N-氧-2-吡啶甲酸POA溶于醇水混合溶剂中，甲醇∶水＝1∶1，室温下蒸发至饱和，取出饱和POA溶液置于比色皿中，比色皿外侧施加36V的直流电压，蒸发，生长出籽晶，然后将籽晶转移到培养槽，同样溶剂蒸发得到柱状4-硝基-N-氧-2-吡啶甲酸二代晶体；该晶体属于正交晶系，空间群为P2<sub>1</sub>2<sub>1</sub>2<sub>1</sub>，晶体学参数：a＝5.5509<img file="C2007100089400002C1.GIF" wi="43" he="61" />b＝9.8139<img file="C2007100089400002C2.GIF" wi="44" he="60" />c＝13.2554<img file="C2007100089400002C3.GIF" wi="43" he="60" />V＝722.1<img file="C2007100089400002C4.GIF" wi="73" he="59" />Z＝4。 | ||
| 地址 | 362000福建省泉州市丰泽区城东华侨大学 | ||