| 发明名称 | 肖特基二极管测试方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种肖特基二极管测试方法，包括：向肖特基二极管施加大于40mA且小于250mA的电流；向肖特基二极管施加反向电压。采用该肖特基二极管测试方法可以去除部分参数达不到使用要求的不良品，提升产品性能和可靠性。 | ||
| 申请公布号 | CN101587163A | 申请公布日期 | 2009.11.25 |
| 申请号 | CN200910108301.5 | 申请日期 | 2009.06.16 |
| 申请人 | 深圳市晶导电子有限公司 | 发明人 | 高燕辉;廖志强;邓咏梅 |
| 分类号 | G01R31/26(2006.01)I | 主分类号 | G01R31/26(2006.01)I |
| 代理机构 | 广州华进联合专利商标代理有限公司 | 代理人 | 何 平 |
| 主权项 | 1、一种肖特基二极管测试方法，包括：向肖特基二极管施加大于40mA且小于250mA的电流；向肖特基二极管施加反向电压。 | ||
| 地址 | 518101广东省深圳市宝安区新安街道留仙二路鸿辉工业园三号厂房1-4层 | ||