发明名称 |
声表面波滤波器件 |
摘要 |
一种具有足够通频带宽的纵向结合谐振器型声表面波器件,其中在通频带低频侧附近的阻止带域内可以得到大的衰减量,并且可以实现通频带内的低插入损耗。一种5-IDT纵向结合谐振器型声表面波器件(1)包括:第一IDT(11)、沿表面波传播方向设在第一IDT(11)两侧的第二和第三IDT(12)和(13),以及沿表面波传播方向的最外IDT(14)和(15)。其中,当第一IDT(11)具有电极指数目N1和电极指间距P1,第二和第三IDT(12)和(13)具有电极指数目N2和电极指间距P2,第四和第五IDT(14)和(15)具有电极指数目N3和电极指间距P3时,满足关系N1<N2,N1<N3,P1<P2和P1<P3。 |
申请公布号 |
CN100563102C |
申请公布日期 |
2009.11.25 |
申请号 |
CN200680002452.7 |
申请日期 |
2006.12.27 |
申请人 |
株式会社村田制作所 |
发明人 |
大内峰文 |
分类号 |
H03H9/64(2006.01)I;H03H9/145(2006.01)I |
主分类号 |
H03H9/64(2006.01)I |
代理机构 |
中科专利商标代理有限责任公司 |
代理人 |
陈瑞丰 |
主权项 |
1.一种纵向结合谐振器型声表面波滤波器件,它包括:压电基板;设在压电基板上的第一IDT;沿表面波传播方向设在第一IDT两侧的第二和第三IDT;沿表面波传播方向设置有第一至第三IDT的两侧配置的第四和第五IDT;以及沿表面波传播方向设置有第一至第五IDT的两侧配置的第一和第二反射器;其中,分别用N1和P1表示第一IDT的电极指数目和电极指间距,分别用N2和P2表示第二和第三IDT和的电极指数目和电极指间距,且分别用N3和P3表示第四和第五IDT的电极指数目和电极指间距,确定第一至第五电极指数目和电极指间距满足关系N1<N2,N1<N3,P1<P2和P1<P3。 |
地址 |
日本京都府 |