半导体发光元件用外延晶片、其制造方法及半导体发光元件

摘要

本发明提供了抑制p型掺杂剂向p型包覆层和活性层扩散的半导体发光元件用外延晶片及其制造方法，以及使用该外延晶片、可以进行稳定的大功率输出运作和高温运作并且具有高可靠性的半导体发光元件。该半导体发光元件用外延晶片的结构是，在由GaAs构成的n型衬底1上依次层叠下述各层：由GaAs构成的n型缓冲层2、由GaInP构成的n型缓冲层3、由AlGaInP构成的n型包覆层4、由AlGaAs构成的非掺杂导向层5、由AlGaAs/GaAs的多重量子井(MQW)构成的活性层6、由AlGaInP构成的p型第1包覆层7、由GaInP构成的p型蚀刻停止层8、由AlGaInP构成的p型第2包覆层9、成为本发明特征部分的掺杂了碳的碳掺杂AlGaAs层10(锌扩散抑制层)、由GaInP构成的p型中间层11以及由GaAs构成的p型覆盖层12。

主权项

1. 半导体发光元件用外延晶片，在由GaAs构成的n型衬底上，依次层叠至少一层由AlGaInP构成的n型包覆层、活性层、至少一层由AlGaInP构成的p型包覆层以及由GaAs构成的p型覆盖层，p型覆盖层的p型掺杂剂是Zn，其特征在于，在所述p型包覆层和p型覆盖层之间插入了掺杂碳的p型AlGaAs层，并且，该p型AlGaAs层的带隙波长比p型包覆层的带隙波长要长。