肖特基势垒二极管

摘要

本发明公开了一种肖特基势垒二极管，以金属和N阱形成的肖特基结为正极，通过接触孔与金属正极板相连，以N型半导体为负极；肖特基结与金属极板间有ILD介质层，在介质层中有一块平行于金属正极板并与金属正极板之间以接触孔相连接的环状多晶硅场板，该多晶硅场板将有源区包围在中间，金属正极板的边缘超出多晶硅场板的边缘。本发明采用金属正极板和多晶硅场板双层场板，使集中于氧化物和硅化物接触处的部分电力线从半导体表面出发终止于多晶硅和金属场板，从而有效降低氧化物和硅化物接触处电场，提高了肖特基势垒二极管反向击穿电压。

主权项

1、一种肖特基势垒二极管，以金属和N阱形成的肖特基结为正极，肖特基结通过接触孔与金属正极板相连；以N型半导体为负极，肖特基结与金属正极板间有内层介质，其特征是，在内层介质中有一块平行于金属正极板并与金属正极板之间以接触孔相连接的环状的多晶硅场板，该多晶硅场板将有源区包围在中间。