| 发明名称 | 功率IC器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种功率MOS晶体管的导通电阻较低且表层沟道MOS晶体管部分的处理速度较快的、功率IC器件及其制造方法。芯片(2a)表面的面方位为偏离硅的(110)结晶面-8°以上+8°以下的面方位，P沟道型沟槽功率MOS晶体管(10)具有：在芯片(2a)的表面上穿孔形成的沟槽(3)、沟槽(3)内的栅区(11)、沟槽(3)的横壁部分的反型沟区(12)、形成于芯片(2a)的表面层的源区(14)、形成于芯片(2a)的背面层的漏区(13)。表层沟道MOS晶体管(20)具有反型沟区(22)，其中，反型沟道电流的方向为偏离上述硅的<110>结晶方向-8°以上+8°以下的方向。 | ||
| 申请公布号 | CN101461062A | 申请公布日期 | 2009.06.17 |
| 申请号 | CN200780020846.X | 申请日期 | 2007.05.31 |
| 申请人 | 夏普株式会社;国立大学法人东北大学;矢崎总业株式会社 | 发明人 | A·O·阿丹;菊田光洋;寺本章伸;大见忠弘;矢部弘男;渡边高训 |
| 分类号 | H01L27/088(2006.01)I;H01L21/8238(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L27/092(2006.01)I;H01L21/8234(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/088(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人 | 张 鑫 |
| 主权项 | 1. 一种功率IC器件，其中，表层沟道MOS晶体管和P沟道型沟槽功率MOS晶体管形成于同一个芯片，该功率IC器件的特征在于，上述芯片表面的面方位为偏离硅(110)结晶面-8°以上+8°以下的面方位；上述P沟道型沟槽功率MOS晶体管具有：沟槽，通过在上述芯片的表面进行垂直穿孔形成，使得该沟槽的横壁的至少一个面的面方位为偏离硅(110)结晶面-8°以上+8°以下的面方位；栅区，形成于上述沟槽内；沟槽功率MOS晶体管反型沟区，形成于上述沟槽的横壁部分；源区，形成于上述沟槽功率MOS晶体管反型沟区之上层的芯片表面层，并借助于栅极绝缘膜实现与上述栅区之间的绝缘；以及漏区，形成于上述沟槽功率MOS晶体管反型沟区之下层的芯片背面层，电流从上述源区经上述沟槽功率MOS晶体管反型沟区沿着偏离硅<110>结晶方向-8°以上+8°以下的方向流入上述漏区；上述表层沟道MOS晶体管形成有表层沟道MOS晶体管反型沟区，其中，反型沟道电流沿着与上述芯片表面平行的方向流经上述芯片的表面部分。 | ||
| 地址 | 日本大阪府 | ||