高压平面功率MOS器件的制造方法

摘要

本发明公开了一种高压平面功率MOS器件的制造方法，在源区与沟道体的自对准离子注入过程用一块光刻板，并且通过多晶硅侧墙实现源区与沟道体的完全自对准；对所述源区和沟道体同时实施热推进，实现一步推进形成平面MOS管的元胞。本发明能够有效降低寄生电容，提高器件的频率响应，并且能够降低器件的制造成本。

主权项

1、一种高压平面功率MOS器件的制造方法，所述高压平面功率MOS器件是以重掺杂衬底上的轻掺杂外延片作为衬底，依次形成重掺杂保护环和沟道体欧姆接触、栅隔离氧化层、形成在栅隔离氧化层上的多个间隔设置的栅区；其特征在于，所述方法包括如下步骤：在所述栅区的表面淀积一层氮化硅，然后在所述栅区的两侧形成多晶硅侧墙，在相邻的两个多晶硅侧墙之间用光刻胶定义出源区，进行源区的自对准离子注入，形成源区；保留光刻胶，采用干法刻蚀去除所述的多晶硅侧墙，进行沟道体的自对准离子注入，形成沟道体；在源区与沟道体的自对准离子注入过程中共用一块光刻板，以实现源区与沟道体的完全自对准；去除所述光刻胶，对所述源区和沟道体同时实施热推进，实现一步推进形成平面MOS管的元胞。