| 发明名称 | 半导体器件 | ||
| 摘要 | 一种半导体器件，其中抗焊盘中所产生应力的强度被提高了。提供有多个焊盘(1)。在每个焊盘(1)中，在使用最上层形成的第一金属(11)下提供有多个线条状第二金属(12)。这样，为提高抗焊盘中所产生应力的强度，将焊盘(1)沿第二金属(12)的纵向排列。亦即：将焊盘(1)排列成使第二金属(12)的纵向(L1)和焊盘(1)的排列方向(L2)在同一方向。 | ||
| 申请公布号 | CN101459172A | 申请公布日期 | 2009.06.17 |
| 申请号 | CN200810181599.8 | 申请日期 | 2005.02.22 |
| 申请人 | 株式会社瑞萨科技 | 发明人 | 神崎照明;出口善宣;三木一伸 |
| 分类号 | H01L27/02(2006.01)I;H01L23/485(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 柯广华;王忠忠 |
| 主权项 | 1. 一种半导体器件，包括：焊盘；输出缓冲器，其将信号输出到所述焊盘；输入缓冲器，其中输入了施加到所述焊盘的信号；以及内部电路，其连接到所述输出缓冲器的输入侧以及所述输入缓冲器的输出侧；其中所述焊盘形成在所述输出缓冲器上面，而不形成在所述输入缓冲器和所述内部电路上面。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||