| 发明名称 | 通过闭合环路方法生产硅 | ||
| 摘要 | 本发明的生产硅的方法包括：将气态三氯硅烷与氢反应以在基体上沉积硅并产生四氯化硅副产物，使该四氯化硅副产物气化以形成气态四氯化硅，将该气态四氯化硅转化为细粒硅，通过熔融该细粒硅而形成硅熔体，以及从该硅熔体形成固体硅。 | ||
| 申请公布号 | CN101460398A | 申请公布日期 | 2009.06.17 |
| 申请号 | CN200780020540.4 | 申请日期 | 2007.04.13 |
| 申请人 | 卡伯特公司 | 发明人 | 亚科夫·E·库特索夫斯基;谢尔登·B·戴维斯 |
| 分类号 | C01B33/035(2006.01)I;C30B15/00(2006.01)I | 主分类号 | C01B33/035(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 宋 莉 |
| 主权项 | 1. 一种生产硅的方法，包括：(a)提供气态三氯硅烷，(b)在基体的存在下、在引起硅在该基体上的沉积并产生四氯化硅副产物的温度下，使该气态三氯硅烷与氢反应，(c)使该四氯化硅副产物气化以形成气态四氯化硅，(d)将该气态四氯化硅转化为具有约200nm或者更小的平均初级粒径和约500μm或者更大的平均团聚体尺寸的细粒硅，(e)通过熔融该细粒硅而形成硅熔体，和(f)从该硅熔体形成固体硅。 | ||
| 地址 | 美国马萨诸塞州 | ||