| 发明名称 | 通孔形成方法 | ||
| 摘要 | 一种通孔形成方法，包括：在半导体基底上形成接触层，所述半导体基底内已形成掺杂扩散区；在所述接触层上形成介质层；图形化所述介质层，以形成暴露部分接触层的接触孔；去除暴露的所述部分接触层的表层，剩余的所述部分接触层具有满足产品要求的厚度；填充所述接触孔，以形成通孔。可减小接触电阻，且操作简单。 | ||
| 申请公布号 | CN101459122A | 申请公布日期 | 2009.06.17 |
| 申请号 | CN200710094499.7 | 申请日期 | 2007.12.13 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 韩秋华;何德飚;韩宝东 |
| 分类号 | H01L21/768(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/768(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人 | 李 丽 |
| 主权项 | 1. 一种通孔形成方法，其特征在于，包括：在半导体基底上形成接触层，所述半导体基底内已形成掺杂扩散区；在所述接触层上形成介质层；图形化所述介质层，以形成暴露部分接触层的接触孔；去除暴露的所述部分接触层的表层，剩余的所述部分接触层具有满足产品要求的厚度；填充所述接触孔，以形成通孔。 | ||
| 地址 | 201203上海市浦东新区张江路18号 | ||