| 发明名称 |
发光二极管 |
| 摘要 |
本发明涉及一种发光二极管。所述发光二极管包括一个反光杯，至少一个发光二极管芯片及多个电极，该反光杯包括一本体及设置在该本体上的容置槽，该多个电极设置在该本体上且位于该容置槽的底部，该至少一个发光二极管芯片设置在该容置槽中并与该多个电极电连接。该发光二极管还包括一第一散射层及一光转换层，该第一散射层设置在该容置槽中且覆盖该至少一发光二极管芯片，该第一散射层中含有散射粒子，该光转换层设置在该第一散射层的远离该至少一发光二极管芯片的一侧。 |
| 申请公布号 |
CN101459163A |
申请公布日期 |
2009.06.17 |
| 申请号 |
CN200710203009.2 |
申请日期 |
2007.12.12 |
| 申请人 |
富士迈半导体精密工业（上海）有限公司;沛鑫半导体工业股份有限公司 |
发明人 |
张忠民;徐智鹏;王君伟 |
| 分类号 |
H01L25/00(2006.01)I;H01L25/075(2006.01)I;H01L33/00(2006.01)I |
主分类号 |
H01L25/00(2006.01)I |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
【权利要求1】一种发光二极管，其包括一个反光杯，至少一个发光二极管芯片及多个电极，该反光杯包括一本体及设置在该本体上的容置槽，该多个电极设置在该本体上且位于该容置槽的底部，该至少一个发光二极管芯片设置在该容置槽中并与该多个电极电连接，其特征在于：该发光二极管还包括一第一散射层及一光转换层，该第一散射层设置在该容置槽中且覆盖该至少一发光二极管芯片，该第一散射层中含有散射粒子，该光转换层设置在该第一散射层的远离该至少一发光二极管芯片的一侧。 |
| 地址 |
201600上海市松江区松江工业区西部科技工业园区文吉路500号 |
