一种制备交叉线阵列结构有机分子器件的方法

摘要

本发明公开了一种制备交叉线阵列结构有机分子器件的方法，包括：在基片上淀积绝缘层薄膜；在所述绝缘层薄膜上沉积金属下电极层；在所述金属下电极层上制备双稳态有机分子薄膜层；在所述有机分子薄膜层上沉积金属保护层；在所述金属保护层上旋涂抗蚀剂，光刻得到下电极的胶图形层；采用所述胶图形层掩蔽刻蚀金属保护层、有机分子薄膜层和金属下电极层；去除光刻胶层；采用镂空掩膜版制备金属上电极层。利用本发明，由于事先刻蚀了保护层，避免了刻蚀保护层时等离子体对上电极的损伤；采用水溶性光刻胶，避免了通常去除光刻胶过程中有机溶剂对有机高分子材料的损伤；并减少了工艺步骤，提高了加工效率，解决了该有机材料与微电子工艺的兼容性问题。

主权项

1、一种制备交叉线阵列结构有机分子器件的方法，其特征在于，该方法包括：在基片上淀积绝缘层薄膜；在所述绝缘层薄膜上沉积金属下电极层；在所述金属下电极层上制备双稳态有机分子薄膜层；在所述有机分子薄膜层上沉积金属保护层；在所述金属保护层上旋涂抗蚀剂，光刻得到下电极的胶图形层；采用所述胶图形层掩蔽刻蚀金属保护层、有机分子薄膜层和金属下电极层；去除光刻胶层；采用镂空掩膜版制备金属上电极层。