| 发明名称 | 电化学或化学沉积金属层前预浸润晶片表面的方法和装置 | ||
| 摘要 | 本发明在金属沉积工艺前通过在晶片的整个前表面上预附加一液体吸附层，使得在电解液和晶片表面在相互接触时能改善它们之间的浸润。所述液体吸附层通过在(相对于晶片)升高的温度下从气相中输送蒸汽化的液体分子并将它们凝结在晶片表面上实现。 | ||
| 申请公布号 | CN101459050A | 申请公布日期 | 2009.06.17 |
| 申请号 | CN200710172313.5 | 申请日期 | 2007.12.14 |
| 申请人 | 盛美半导体设备（上海）有限公司 | 发明人 | 马悦;王晖 |
| 分类号 | H01L21/00(2006.01)I;C25D7/12(2006.01)I;C25D5/00(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人 | 陆 嘉 |
| 主权项 | 1. 一种预浸润晶片表面的方法，包括：蒸汽化一液体；把蒸汽化的液体分子输送到晶片表面附近环境中；用蒸汽化液体分子置换在晶片表面附近环境中的大量空气并把它们输送到晶片表面并进入到图形化结构中；从所述蒸汽环境中凝结液体吸附层于包括图形化结构的晶片表面上；用电解液接触承载吸附液体层的晶片表面。 | ||
| 地址 | 201600上海市松江松蒸路900号210室 | ||