发光二极管的制作方法及由该方法制作的发光二极管

摘要

本发明提供一种发光二极管的制作方法及由该方法制作的发光二极管，该制作方法包括下列步骤：提供硅晶圆，在硅晶圆上表面形成凹槽阵列；在各凹槽内形成两个贯穿硅晶圆的缺口；将发光二极管芯片倒装安装于凹槽内，且使发光二极管芯片的电极对应盖设于缺口上；在凹槽内设置覆盖发光二极管芯片且具有平整上表面的保护层；在硅晶圆的下表面形成通过缺口与电极电连接的金属层；对金属层进行图案化以形成与电极电连接的金属引线；将硅晶圆切割为多个包括至少一个凹槽的硅基座；及在保护层的上表面形成荧光层。

主权项

1. 一种发光二极管的制作方法，包括下列步骤：提供硅晶圆，所述硅晶圆具有上表面及下表面；在所述硅晶圆的上表面形成包括多个凹槽的凹槽阵列；在各所述凹槽内形成两个贯穿所述硅晶圆的缺口；将多个发光二极管芯片分别倒装安装于各所述凹槽内，且使各所述发光二极管芯片的两个电极对应盖设于所述缺口上；在各所述凹槽内设置覆盖各所述发光二极管芯片且具有平整上表面的保护层；在所述硅晶圆的下表面形成金属层，所述金属层通过所述缺口分别与所述电极电连接；对所述金属层进行图案化，以形成多个分别独立地与所述电极电连接的金属引线；将所述硅晶圆切割为多个包括至少一个所述凹槽的硅基座；以及在所述保护层的上表面形成荧光层。