发明名称 P型硅表面微结构的电化学加工方法
摘要 p型硅表面微结构的电化学加工方法,涉及一种硅表面的加工。提供一种低成本、加工步骤简单且无需掩模光刻等复杂工艺,并可一次性在P型硅表面直接刻蚀加工微结构的新型电化学加工方法。包括以下步骤:将原始母版上的微结构转移至琼脂糖表面后浸泡于电解液中得存储有电解液的琼脂糖凝胶模板;再置于电解池中,将具有微结构的部分暴露于液面上;P型硅片经前处理后在背面溅射Pt层,形成欧姆接触,再将抛光面置于琼脂糖凝胶模板表面,将P型硅片作为工作电极,对P型硅片进行电化学抛光微加工,将琼脂糖凝胶模板上的微结构通过电化学抛光微加工转移至P型硅片表面得具有微结构的P型硅片后将具有微结构的P型硅片与琼脂糖两者分离。
申请公布号 CN100501936C 申请公布日期 2009.06.17
申请号 CN200710008742.9 申请日期 2007.03.23
申请人 厦门大学 发明人 汤儆;张力;庄金亮;马信洲;田昭武
分类号 H01L21/3063(2006.01)I;B81C1/00(2006.01)I 主分类号 H01L21/3063(2006.01)I
代理机构 厦门南强之路专利事务所 代理人 马应森
主权项 1. p型硅表面微结构的电化学加工方法,其特征在于其步骤为:1)选用具有微结构的钛、石英或硅片作为原始母版,将原始母版上的微结构转移至琼脂糖表面,再浸泡于电解液中,得存储有电解液的琼脂糖凝胶模板;2)将存储有电解液的琼脂糖凝胶模板置于电解池中,将具有微结构的部分暴露于液面上;3)P型硅片经过前处理后利用磁控溅射方法在P型硅片背面溅射10~20nm的Pt层,形成一个良好的欧姆接触;4)将P型硅片抛光面置于存储有电解液的琼脂糖凝胶模板表面,将P型硅片作为工作电极,选择电化学抛光微加工电位为1.5~1.6V,对P型硅片进行电化学抛光微加工,将琼脂糖凝胶模板上的微结构通过电化学抛光微加工转移至P型硅片表面,得具有微结构的P型硅片;5)将具有微结构的P型硅片与琼脂糖两者分离,加工完毕。
地址 361005福建省厦门市思明南路422号