| 发明名称 | 去除互连金属层表面氧化膜的方法 | ||
| 摘要 | 一种去除互连金属层表面氧化膜的方法，采用非氧化性气体的等离子体溅射互连金属层表面的氧化膜，溅射过程中保持反应腔的温度低于23摄氏度。所述方案提供一个温和的等离子溅射蚀刻的制成条件，均匀地，自如地控制反应腔体温度以及晶圆表面的温度，可以减少因温度过高对晶圆表面造成的晶格变化，避免现有技术对互连金属层表面连续溅射时对互连金属层表面的损伤。 | ||
| 申请公布号 | CN101459120A | 申请公布日期 | 2009.06.17 |
| 申请号 | CN200710094468.1 | 申请日期 | 2007.12.13 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 章国伟;梅娜;王重阳;江卢山 |
| 分类号 | H01L21/768(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/768(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人 | 李 丽 |
| 主权项 | 1. 一种去除互连金属层表面氧化膜的方法，采用非氧化性气体的等离子体溅射互连金属层表面的氧化膜，其特征在于，溅射过程中保持反应腔的温度低于23摄氏度。 | ||
| 地址 | 201203上海市浦东新区张江路18号 | ||