一种半导体晶片的导电结构及其制造方法

摘要

本发明提供一种半导体晶片的导电结构及其制造方法，该导电结构包括：半导体衬底，其包括至少一层金属层，其中该金属层位于半导体衬底的上部，该金属层的上部和下部覆盖有阻挡层，通过蚀刻的方法将金属层上部的阻挡层以及在半导体衬底和金属层组成的结构的上方涂覆的钝化层去除，仅在半导体衬底没有由金属层覆盖的部分剩余有钝化层。本发明仅在普通的集成电路制程和结构的基础上，将第一层金属顶部的钝化层和阻挡层都去除，使整个第一层金属暴露出来，易于直接对芯片中电路下探针，从而进行局部电路分析。并且，由于对晶片进行了两次蚀刻，因此利用该方法既可以保证去除金属层上的钝化层，又不会在微探针测试时损坏到金属层的侧壁。

主权项

1. 一种半导体晶片的导电结构，其特征在于包括：半导体衬底，半导体衬底中包括至少一层金属层，其中该金属层位于半导体衬底的上部，该金属层的上部和下部覆盖有阻挡层，通过蚀刻的方法将金属层上部的阻挡层以及在半导体衬底和金属层组成的结构的上方涂覆的钝化层去除，仅在半导体衬底没有由金属层覆盖的部分剩余有钝化层。