SIMOX基板的制造方法

摘要

本发明公开了一种SIMOX基板的制造方法，其中把注入氧离子的硅基板在氩和氧的混合气体气氛下，进行1300～1350℃的热处理而获得SIMOX基板。在氧离子注入后热处理之前，把硅基板在惰性气体或还原性气体或者混合气体气氛中，在温度为1000～1280℃的范围内进行5分钟至4小时的预热处理。注入氧离子的硅基板优选空洞缺陷或COP组成的晶体缺陷密度在1×10⁵cm^-3以上，并且晶体缺陷尺寸分布的最大频率在0.12μm以下。进一步优选在预热处理后，把硅基板在惰性气体或还原性气体或者其混合气体气氛中，降温至600～1100℃，然后在氩和氧的混合气体气氛下进行热处理。

主权项

1. 一种SIMOX基板的制造方法，其特征在于：它是把注入氧离子的硅基板在氩和氧的混合气体气氛下进行1300～1350℃的热处理而获得SIMOX基板的SIMOX基板制造方法，其中，在氧离子注入后前述热处理之前，把上述硅基板在惰性气体气氛中，在1000～1280℃的温度范围内进行5分钟至4小时的预热处理，并且在前述预热处理后，把硅基板在惰性气体或还原性气体或者惰性气体和还原性气体的混合气体气氛中降温至600～1100℃，然后在氩和氧的混合气体气氛下进行热处理。