半导体器件及其制造方法

摘要

本发明公开了一种半导体器件及其制造方法。为了提高J-FET的浪涌电阻，在P⁺⁺导电衬底1上形成P型外延层2和N型外延层3；在N型外延层3中形成N⁺导电源极扩散层4和漏极扩散层5、以及P⁺导电栅极扩散层6；形成相反导电类型扩散层的防短路层8使其与源极扩散层4和漏极扩散层5的侧壁相邻。利用此构造，可以在器件的表面区域防止由浪涌电压引起的击穿，及改善其浪涌电阻。经形成在器件表面上的保护绝缘膜9中的孔，与源极扩散层4相连的源极电极10和与漏极扩散层5相连的漏极电极11形成在器件的表面一侧。栅极电极12形成在衬底1的背面，且经形成在器件中的接触扩散层7与栅极扩散层6相连。

主权项

1. 一种具有结型场效应晶体管的半导体器件，该结型场效应晶体管包括：源极扩散区和漏极扩散区，形成在第一导电类型半导体区域的沟道区表面中，且由第一导电类型的高浓度扩散区构成；以及栅极扩散区，由不同于第一导电类型的第二导电类型构成，且形成在源极扩散区与漏极扩散区之间，其中防短路层形成在栅极扩散区与源极扩散区和漏极扩散区中的至少一个之间的表面中；防短路层形成为与源极扩散区和漏极扩散区中的至少一个接触，但不与栅极扩散区接触；半导体区域形成在第二导电类型的高浓度衬底上；以及栅极扩散层的一部分经从衬底表面延伸至高浓度衬底的接触扩散层电性连接至半导体区域。