发明名称 基板清洗方法、基板清洗装置
摘要 本发明提供一种基板清洗方法、基板清洗装置、计算机程序和存储介质,在对晶片实施使用清洗液喷嘴的清洗处理和使用侧漂洗喷嘴的漂洗处理之后的干燥处理中,使晶片旋转,从而开始从纯水喷嘴向晶片的中心点供给纯水,实质上与此同时,开始从气体喷嘴在晶片的中心部中向离开晶片的中心适当长度的点喷射氮气。然后一边使纯水喷嘴朝向晶片的周缘扫描,一边使气体喷嘴在通过晶片的中心后,在比纯水喷嘴的位置更靠径向内侧的区域朝向晶片的周缘扫描。
申请公布号 CN100501931C 申请公布日期 2009.06.17
申请号 CN200580012831.X 申请日期 2005.04.19
申请人 东京毅力科创株式会社 发明人 大野广基;关口贤治
分类号 H01L21/304(2006.01)I;B08B3/02(2006.01)I;B08B5/02(2006.01)I;G02F1/13(2006.01)I;G02F1/1333(2006.01)I 主分类号 H01L21/304(2006.01)I
代理机构 中国专利代理(香港)有限公司 代理人 温大鹏
主权项 1. 一种基板清洗方法,是对被处理基板实施清洗处理、干燥处理的基板清洗方法,上述干燥处理具有以下工序:一边使被处理基板以大致水平姿势旋转,一边开始向上述被处理基板表面的中心供给漂洗液的工序;在向上述被处理基板表面的中心供给上述漂洗液时,开始向上述被处理基板的中心附近的、从上述被处理基板的中心离开适当长度的地点供给非活性气体的工序;使向上述被处理基板供给漂洗液的漂洗液供给点从上述被处理基板表面的中心朝向上述被处理基板的周缘移动,在其移动期间,使向上述被处理基板供给非活性气体的气体供给点最初向上述被处理基板的中心移动,然后在比上述漂洗液供给点的位置更靠径向内侧的区域内从上述被处理基板的中心向周缘移动的工序;在上述清洗处理与上述干燥处理之间设置漂洗处理,该漂洗处理一边使上述被处理基板以大致水平姿势旋转,一边向上述被处理基板的表面的既定点供给既定时间的漂洗液,在上述干燥处理开始前是在上述被处理基板的表面上形成有漂洗液的膜的状态。
地址 日本东京都