| 发明名称 | 侧墙基层形成方法 | ||
| 摘要 | 一种侧墙基层形成方法，包括：提供半导体基底，所述半导体基底具有栅极；确定环绕所述栅极的侧墙基层的宽度；将所述半导体基底固定于静电卡盘上；提供所述侧墙基层的宽度与所述静电卡盘的温度之间的对应关系，所述侧墙基层的宽度不同时，对应的静电卡盘的温度使所述侧墙基层的均匀性满足产品要求；根据所述对应关系和确定的所述侧墙基层的宽度选定所述静电卡盘的温度；在所述温度下，在所述半导体基底上形成侧墙基层。可增强形成的所述侧墙基层的宽度的均匀性，且制程简单、无需进行设备改进。 | ||
| 申请公布号 | CN101459064A | 申请公布日期 | 2009.06.17 |
| 申请号 | CN200710094494.4 | 申请日期 | 2007.12.13 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 刘乒;马擎天;张海洋 |
| 分类号 | H01L21/28(2006.01)I;H01L21/31(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/28(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人 | 李 丽 |
| 主权项 | 1. 一种侧墙基层形成方法，其特征在于，包括：提供半导体基底，所述半导体基底具有栅极；确定环绕所述栅极的侧墙基层的宽度；将所述半导体基底固定于静电卡盘上；提供所述侧墙基层的宽度与所述静电卡盘的温度之间的对应关系，所述侧墙基层的宽度不同时，对应的静电卡盘的温度使所述侧墙基层的均匀性满足产品要求；根据所述对应关系和确定的所述侧墙基层的宽度选定所述静电卡盘的温度；在所述温度下，在所述半导体基底上形成侧墙基层。 | ||
| 地址 | 201203上海市浦东新区张江路18号 | ||