| 发明名称 | 非易失性存储器 | ||
| 摘要 | 本发明提供非易失性存储器，其在基板上至少含有第一电极(71)、与第一电极(71)隔离的第二电极(72)、将第一电极(71)和第二电极(72)电连接的导电性有机薄膜(73)。导电性有机薄膜(73)具有显示第一电阻值的第一电状态和显示第二电阻值的第二电状态，从第一电状态转变到第二电状态的第一阈值电压与从第二电状态转变到第一电状态的第二阈值电压不同，第一电状态或第二电状态保持在第一阈值电压和第二阈值电压的范围内。导电性有机薄膜(73)和基材表面以共价键结合。在导电性有机薄膜(73)上可以连接二极管(74)。这样，便提供了能够利用导电性有机薄膜(73)的电阻值的变化进行记录的写入和读出，而且容易集成化的非易失性存储器。 | ||
| 申请公布号 | CN100502007C | 申请公布日期 | 2009.06.17 |
| 申请号 | CN02823913.X | 申请日期 | 2002.12.16 |
| 申请人 | 松下电器产业株式会社 | 发明人 | 山本伸一;小川一文;美浓规央 |
| 分类号 | H01L27/10(2006.01)I;H01L51/00(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/10(2006.01)I |
| 代理机构 | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人 | 陈建全 |
| 主权项 | 1、非易失性存储器，其包含在基板上至少具备的第一电极和与所述第一电极隔离的第二电极、以及用于将所述第一电极和第二电极进行电连接的导电性有机薄膜，其特征在于：所述导电性有机薄膜具有显示第一电阻值的第一电状态和显示第二电阻值的第二电状态，从所述第一电状态转变到第二电状态的阈值电压与从所述第二电状态转变到第一电状态的第二阈值电压不同，所述第一电状态或所述第二电状态保持在第一阈值电压和第二阈值电压之间的范围内，所述导电性有机薄膜由有机分子构成，该有机分子含有与基板或基板上的绝缘层表面共价键结合的末端结合基和共轭结合基，所述共轭结合基和其他分子的共轭结合基聚合以形成导电膜。 | ||
| 地址 | 日本大阪府 | ||