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Die Erfindung betrifft eine Anordnung zur Erzeugung von EUV-Strahlung, insbesondere für Quellenmodule in Belichtungsanlagen der EUV-Lithographie zur Halbleiterchipherstellung. Die Aufgabe, eine neue Möglichkeit zur Realisierung eines EUV-Quellenmoduls zu finden, die bei der Übertragung der Strahlung vom primären Quellort (Plasma 3) zum sekundären Quellort [Austrittsöffnung (6) des Quellenmoduls (1)/Zwischenfokusebene (62)] das Verhältnis von Aufwand zu Ergebnis deutlich verbessert, wird erfindungsgemäß gelöst, indem das Plasma (3) als Volumenstrahler zur direkten Ausleuchtung der Austrittsöffnung (6) ohne Kollektoroptik ausgebildet und die Querausdehnung (d) des Plasmas (3) größer als der Durchmesser (D) der Austrittsöffnung (6) ist, wobei das Maß der Durchmesserüberschreitung vom Abstand (L) zwischen dem Plasma (3) und der Austrittsöffnung (6) und von der nummerischen Apertur (NA) des nachfolgenden lithographischen Beleuchtungssystems abhängig sind.
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