闪存装置的编程方法

摘要

在导通串内的存储单元，以电连接沟道区域的闪存装置的编程方法中，通过将地电压施加于连接至包括将要被编程的单元的第一串的第一位线，均匀地为第二串内的所有的沟道区域预先充电，并将编程禁止电压施加于连接至包括编程禁止单元的第二串的第二位线。如果执行编程操作，则在包括编程禁止单元的第二串内的沟道区域中出现沟道升压。相应地，能够增加沟道升压电压，并且能够防止在其中编程禁止单元的阈值电压改变的编程扰动现象。

主权项

1. 一种闪存装置的编程方法，所述编程方法包括：提供包括漏极选择线、源极选择线、和字线的存储装置，并将串连接在位线与公共源极线之间；在所述串内的沟道区域未电连接至所述位线的状态中，施加编程禁止电压；将通过电压施加于所述字线；将漏极选择电压施加于所述漏极选择线；以及通过将比所述通过电压高的编程电压施加于所述字线中所选的一条，而执行编程操作。