发光二极管的晶圆级测试方法及构造

摘要

本发明是有关于一种发光二极管的晶圆级测试方法及构造。该发光二极管的晶圆级测试方法，首先提供有一LED半导体晶圆，将一胶带贴附在该LED半导体晶圆的背面，再切割该LED半导体晶圆成为多个在该胶带上的LED芯片，在测试上述多个LED芯片时，以一探测卡的多个探触结构欧姆接触上述多个LED芯片的P型电极与N型电极，每一探触结构包括有一光侦测器，其是对应于上述多个LED芯片上方，用以侦测上述多个LED芯片发生的光源。本发明可以达到大量与快速地晶圆级测试多个发光二极管，其还可以达到大量与快速地测试LED覆晶芯片的功效，非常适于实用。

主权项

1、一种发光二极管的晶圆级测试方法，其特征在于其包括以下步骤：提供一发光二极管半导体晶圆，该发光二极管半导体晶圆具有一正面及一背面，该正面设有多个P型电极及多个N型电极；贴附一胶带于该发光二极管半导体晶圆的背面；切割该发光二极管半导体晶圆而形成多个在该胶带上的发光二极管芯片；以及以一探测卡测试上述多个发光二极管芯片，该探测卡包括有多个探触结构，每一探触结构具有多个探触端及一光侦测器，上述多个探触端是欧姆接触上述多个发光二极管芯片的上述多个P型电极与上述多个N型电极，而上述多个光侦测器是设于对应探触结构的探触端之间，当一电压藉由上述多个探触结构施加予上述多个发光二极管芯片，上述多个光侦测器是用来侦测上述多个发光二极管芯片发出的光。