| 发明名称 | 多阶氮化硅只读记忆胞的程序化方法 | ||
| 摘要 | 一种在氮化硅只读记忆胞(nitride read-only memory cell)程序化数据区(data region)的方法。在已抹除状态下(erased state)，氮化硅只读记忆胞展示一低临界电压(threshold voltage)V<sub>t</sub>值。要被程序化到最高临界电压V<sub>t</sub>值的数据区，首先被程序化。氮化硅只读记忆胞中剩下的数据区，按照它们临界电压V<sub>t</sub>值递减的次序，先后被程序化。对这样一个氮化硅只读记忆胞，即在已抹除状态下，展示一高临界电压V<sub>t</sub>值的，其要被程序化到最低临界电压V<sub>t</sub>值的数据区，首先被程序化，余下的数据区，按照它们临界电压V<sub>t</sub>值递增的次序，先后被程序化。 | ||
| 申请公布号 | CN100470678C | 申请公布日期 | 2009.03.18 |
| 申请号 | CN200510097482.8 | 申请日期 | 2005.12.28 |
| 申请人 | 旺宏电子股份有限公司 | 发明人 | 龙翔澜;吴昭谊 |
| 分类号 | G11C16/10(2006.01)I;G11C16/14(2006.01)I;G11C16/04(2006.01)I;G11C16/34(2006.01)I | 主分类号 | G11C16/10(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 寿 宁;张华辉 |
| 主权项 | 1. 一种多阶氮化硅只读记忆胞的程序化方法，包括:提供具有多个数据区的一记忆胞，对每该数据区进行程序化处理，以达到多个程序化值的其中之一，每该程序化值包括临界电压Vt值；根据该些程序化值，使每该数据区获得一程序化检验标准值，从而定义出程序化检验标准和数据区关联的一集合；按照在该集合中的每该关联的程序化检验标准，产生程序化检验标准和数据区关联的排列次序；以及按照该程序化检验标准和数据区关联的排列次序，时间上先后地对该些数据区进行程序化。 | ||
| 地址 | 中国台湾 | ||