发明名称 一种低电压且可提高线性度和输入幅度跨导放大器
摘要 本发明是一种低电压且可提高线性度和输入幅度跨导放大器,其特征是在传统源级衰减结构中引入了一个新型局部反馈结构。该反馈结构在源级衰减电阻的两端制造了两个低阻抗节点,该低阻抗节点减小了传统源级衰减结构的失真。该结构克服了传统跨导放大器在低电压下输入幅度小,线性度差等缺点,同时本电路在关键路径上的最大压降小于传统结构电路,从而显示出在更低电压下工作的潜力。本电路具有适合低电压工作,高线性度和大输入幅度的特点,该结构完全符合目前集成电路研究和发展的方向。
申请公布号 CN100471050C 申请公布日期 2009.03.18
申请号 CN200710063493.3 申请日期 2007.02.02
申请人 清华大学 发明人 孔耀晖;杨华中
分类号 H03F1/32(2006.01)I;H03F3/45(2006.01)I 主分类号 H03F1/32(2006.01)I
代理机构 代理人
主权项 1. 一种低电压且可提高线性度和输入幅度跨导放大器,其特征在于含有:2个N型MOS管:第一MOS管(MA1),第十MOS管(MB1)构成了两个输入管,其中第一MOS管(MA1)的栅极与信号的正向输入端相连,漏极接第三节点(13),源极经过第一节点(11)连接源极衰减电阻(RS),第十MOS管(MB1)的栅极与信号的负向输入端相连,漏极接第八节点(23),源极经过第六节点(21)连接源极衰减电阻(RS)的另一端;第三MOS管(MA3)漏极接第二节点(12),源极接第三节点(13),栅极经第十三节点(33)连接第三偏置信号,第十二MOS管(MB3)漏极接第七节点(22),源极接第八节点(23),栅极经第十三节点(33)连接第三偏置信号;第二MOS管(MA2)漏极接第一节点(11),源极接第五节点(15),栅极接第二节点(12),第十一MOS管(MB2)漏极接第六节点(21),源极接第十节点(25),栅极接第七节点(22);第二MOS管(MA2),第三MOS管(MA3),第五MOS管(MA5),第七MOS管(MA7),第九MOS管(MA9),第十一MOS管(MB2),第十二MOS管(MB3),第十四MOS管(MB5),第十六MOS管(MB7),第十八MOS管(MB9)构成了一个本地反馈结构,以减小输入管源极的电阻;电流沉电路由6个N型MOS管:第四MOS管(MA4)、第五MOS管(MA5)、第九MOS管(MA9)、第十三MOS管(MB4)、第十四MOS管(MB5)、第十八MOS管(MB9)构成,其中第四MOS管(MA4)、第五MOS管(MA5)、第十三MOS管(MB4)、第十四MOS管(MB5)各管的源级接地,各管栅极共同经第十一节点(31)连接第一偏置信号;第九MOS管(MA9)和第十八MOS管(MB9)的栅极共同经第十二节点(32)连接第二偏置信号;第五MOS管(MA5)的漏极与第九MOS管(MA9)的源极相连于第四节点(14),第十四MOS管(MB5)的漏极与第十八MOS管(MB9)的源极相连于第九节点(24);第四MOS管(MA4)的漏极经第一节点(11)与源极衰减电阻(RS)相连,第十三MOS管(MB4)的漏极经第六节点(21)与源极衰减电阻(RS)的另一端相连,第九MOS管(MA9)的漏极接第二节点(12),第十八MOS管(MB9)的漏极接第七节点(22);电流源电路由6个P型MOS管:第六MOS管(MA6)、第七MOS管(MA7)、第八MOS管(MA8)、第十五MOS管(MB6)、第十六MOS管(MB7)、第十七MOS管(MB8)构成,其中,第六MOS管(MA6)、第七MOS管(MA7)、第八MOS管(MA8)、第十五MOS管(MB6)、第十六MOS管(MB7)、第十七MOS管(MB8)各管的源极接电源(Vdd),第六MOS管(MA6)、第七MOS管(MA7)、第十五MOS管(MB6)、第十六MOS管(MB7)各管的栅极连接于第十四节点(34),第十四节点(34)外接偏置电路的第四偏置信号以提供电流源负载电路的静态直流电流,第六MOS管(MA6)和第七MOS管(MA7)的漏极依次分别和第五节点(15)和第三节点(13)相连,第十五MOS管(MB6)和第十六MOS管(MB7)的漏极依次分别和节点第十节点(25)和第八节点(23)相连,第八MOS管(MA8)的栅极和第十七MOS管(MB8)的栅极相连于第十三节点(33),第十三节点(33)外接偏置电路的第三偏置信号以提供电流源负载电路的静态直流电流,第八MOS管(MA8)源极接第五节点(15),漏极构成第二输出节点(ion),第十七MOS管(MB8)源极接第十节点(25),漏极构成第一输出节点(iop)。
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