发明名称 制备半导体器件的方法和由其生产的半导体器件
摘要 通过将未密封的半导体器件放入模具内并对喂入到在模具与未密封的半导体器件之间的空间内的可固化的硅氧烷组合物进行压塑,制备以硅氧烷固化体密封的半导体器件的方法,该方法的特征在于:前述可固化的硅氧烷组合物包含至少下述组分:(A)含环氧基的硅氧烷和(B)用于环氧树脂的固化剂;该方法可降低半导体芯片和电路板的翘曲,并改进表面抗划伤性。
申请公布号 CN101389461A 申请公布日期 2009.03.18
申请号 CN200780006365.3 申请日期 2007.02.14
申请人 陶氏康宁东丽株式会社 发明人 森田好次;一色实;植木浩;加藤智子
分类号 B29C43/50(2006.01)I;H01L21/56(2006.01)I;C08L83/04(2006.01)I 主分类号 B29C43/50(2006.01)I
代理机构 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 代理人 张 钦
主权项 1. 通过将未密封的半导体器件放入模具内并对喂入到在模具与未密封的半导体器件之间的空间内的可固化的硅氧烷组合物进行压塑,制备以硅氧烷固化体密封的半导体器件的方法,该方法的特征在于:前述可固化的硅氧烷组合物包含至少下述组分:(A)含环氧基的硅氧烷,和(B)用于环氧树脂的固化剂。
地址 日本东京