通过在栅极和沟道中引起应变来增强CMOS晶体管性能的方法

摘要

一种用于制造互补金属氧化物半导体的方法在衬底(12)上形成不同类型的晶体管，如N型金属氧化物半导体(NMOS)晶体管和P型金属氧化物半导体(PMOS)晶体管(第一和第二类型晶体管)。所述方法在NMOS晶体管和PMOS晶体管上形成可选氧化层(52)，然后利用例如氮化硅层的硬质材料(50)来覆盖所述NMOS晶体管和PMOS晶体管。此后，所述方法对硬质材料层(50)部分进行图案化，使得所述硬质材料层只保留在NMOS晶体管上。接下来，所述方法加热(178，204)NMOS晶体管，然后移除所述硬质材料层(50)的其余部分。通过在NMOS晶体管(NFET)的栅极(22)中产生压应力并且在沟道区中产生张应力(70)，而不在PMOS晶体管(PFET)的栅极(20)或沟道区中产生应力，所述方法在不使PFET的性能降级的情况下改进了NFET的性能。

主权项

1. 一种用于制造晶体管的方法，所述方法包括：在衬底(12)上形成第一类型晶体管，所述晶体管具有栅极导体(22)；利用刚性层(50)来覆盖所述晶体管；以及加热(178)所述晶体管以便在所述晶体管中产生张应力(70)。