| 发明名称 | 元件的接合结构 | ||
| 摘要 | 本发明提供在n<sup>+</sup>-Si等半导体层和Al系合金层直接接合时可防止Al和Si的互相扩散，可维持欧姆特性，可确保Al系合金层本身的低电阻特性的元件的接合结构。本发明是具备半导体层和与该半导体层直接接合的Al系合金层的元件的接合结构，该元件的接合结构的特征在于，与Al系合金层直接接合的半导体层为含氮Si。该Si的氮含量为1×10A<sup>18</sup>～5×10<sup>21</sup>原子/cm<sup>3</sup>。 | ||
| 申请公布号 | CN101390215A | 申请公布日期 | 2009.03.18 |
| 申请号 | CN200780006638.4 | 申请日期 | 2007.08.08 |
| 申请人 | 三井金属鉱业株式会社 | 发明人 | 占部宏成;松浦宜范;久保田高史 |
| 分类号 | H01L29/786(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I;H01L21/285(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/786(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人 | 冯 雅 |
| 主权项 | 1. 元件的接合结构，它是具备半导体层和与该半导体层直接接合的Al系合金层的元件的接合结构，其特征在于，与Al系合金层直接接合的半导体层为含氮Si。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||