| 发明名称 | 具有静电放电保护电路的半导体器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种具有片上型静电放电(ESD)保护电路的半导体器件及其制造方法。该片上型ESD保护电路可以包括在半导体衬底中具有接触第二导电型区域的第一导电型区域的第一结型二极管以及具有布置在半导体衬底的第一导电型区域上且接触该第一导电型区域的金属性材料层的第一肖特基二极管。 | ||
| 申请公布号 | CN101388392A | 申请公布日期 | 2009.03.18 |
| 申请号 | CN200810175627.5 | 申请日期 | 2008.07.18 |
| 申请人 | 三星电子株式会社 | 发明人 | 朴明圭;金炳善;李泰政;房基仁 |
| 分类号 | H01L27/04(2006.01)I;H01L27/08(2006.01)I;H01L23/60(2006.01)I;H01L21/822(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/04(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 陶凤波 |
| 主权项 | 1. 一种包括片上型静电放电保护电路的半导体器件，所述片上型静电放电保护电路包括:在半导体衬底中具有接触第二导电型区域的第一导电型区域的第一结型二极管；以及具有布置在所述第一导电型区域上且接触所述第一导电型区域的金属性材料层的第一肖特基二极管。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||