一种提高氮化镓基LED芯片抗静电能力的外延片生长方法

摘要

本发明是一种氮化镓基LED外延片的生长方法，在p-GaN层中形成电流释放通道，并对生长的外延薄膜进行一次降温、升温退火处理以消除部分累计应力，改善了p-GaN外延层的晶体质量，因此提高了GaN基LED芯片抗ESD能力。本发明的优点在于：实现了在保证小芯片良好的抗ESD良品率的前提下有效提高大芯片抗ESD良品率的GaN基LED外延片的制备。按常规芯片工艺制作成320×320μm²芯片，其反向2000V ESD良品率为92.7％；1×1mm²的大芯片反向1000V ESD良品率为75.8％。

主权项

1、一种提高氮化镓基LED芯片抗静电能力的外延片生长方法，该外延片结构从下向上的顺序依次为低温氮化镓缓冲层——LT-GaN Buffer、非掺杂氮化镓——u-GaN层、n型氮化镓——n-GaN层、多量子阱——MQW层、p型铝镓氮——p-Al0.15Ga0.85N层、p型氮化镓——p-GaN层，其特征在于：在p型铝镓氮——p-Al0.15Ga0.85N层与p型氮化镓——p-GaN层之间形成细小均匀分布的游离金属滴，形成电流释放通道；并通过降低外延薄膜的应力提高p-GaN外延层的晶体质量。