发明名称 具有高散热效率的半导体发光组件及其制造方法
摘要 本发明涉及一种半导体发光组件及其制造方法。本发明的半导体发光组件包含一基板、一多层结构、一第一电极结构以及一第二电极结构。所述基板具有一上表面及一下表面。所述基板其中包含至少一个通孔,并且所述至少一个通孔以一导热性材料填满。所述多层结构形成在所述基板的所述上表面上并且包含一发光区。所述第一电极结构形成在所述多层结构上。所述第二电极结构形成在所述基板的所述下表面上。特别地,所述半导体发光组件在运作时所引发的一热能传导至所述导热性材料,并由所述导热性材料发散出去。
申请公布号 CN101388428A 申请公布日期 2009.03.18
申请号 CN200710153951.2 申请日期 2007.09.14
申请人 广镓光电股份有限公司 发明人 邱舒伟
分类号 H01L33/00(2006.01)I 主分类号 H01L33/00(2006.01)I
代理机构 上海虹桥正瀚律师事务所 代理人 李佳铭
主权项 1、一种半导体发光组件,其特征在于,包含:一基板,所述基板具有一上表面及一下表面,所述基板其中包含至少一个通孔,其中所述至少一个通孔以一导热性材料填满;一多层结构,所述多层结构形成在所述基板的所述上表面上并且包含一发光区;一第一电极结构,所述第一电极结构形成在所述多层结构上;以及一第二电极结构,所述第二电极结构形成在所述基板的所述下表面上;其中所述半导体发光组件在运作时所引发的一热能传导至所述导热性材料并由所述导热性材料发散出去。
地址 中国台湾台中市工业区34路40号