| 发明名称 | 用于CMP后清洁的改进的碱性化学工艺 | ||
| 摘要 | 本发明涉及用于CMP后清洁的改进的碱性化学工艺，论述了在半导体器件制造过程中在晶片的化学机械平坦化(CMP)后半导体晶片的清洁。所公开的是用于含有金属(特别是铜)互连件的晶片CMP后清洁的碱性化学品。从晶片表面上去除残留浆料粒子，特别是铜或其它金属粒子，而不会显著蚀刻金属、在表面上留下沉积物或显著污染晶片，同时又保护了金属免受氧化和腐蚀。另外，存在至少一种强螯合剂，以与溶液中的金属离子络合，有利于从电介质中去除金属并防止再沉积到晶片上。 | ||
| 申请公布号 | CN101386811A | 申请公布日期 | 2009.03.18 |
| 申请号 | CN200810145133.2 | 申请日期 | 2008.07.31 |
| 申请人 | 乔治洛德方法研究和开发液化空气有限公司 | 发明人 | M·L·菲舍尔;A·米斯拉 |
| 分类号 | C11D3/26(2006.01)I;C11D1/94(2006.01)N;C11D3/20(2006.01)N;H01L21/00(2006.01)N;H01L21/02(2006.01)N;H01L21/768(2006.01)N;C23G5/036(2006.01)N | 主分类号 | C11D3/26(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市中咨律师事务所 | 代理人 | 林柏楠;刘金辉 |
| 主权项 | 1. 用于在至少一个CMP制造步骤之后清洁半导体工件的CMP后清洁组合物，包含：(a)清洁剂，其中所述清洁剂包含氢氧化四烷基铵；(b)螯合剂，其中所述螯合剂包含选自由乙二胺、葡糖酸、异丙醇胺、异丙基羟胺及其混合物组成的组中的至少一种，和(c)缓蚀化合物，其中所述缓蚀化合物包含选自由五倍子酸丙酯、巯基丙酸及其混合物组成的组中的至少一种。 | ||
| 地址 | 法国巴黎 | ||