| 发明名称 | 用于铁电存储器的BiFeO<sub>3</sub>-基三明治结构薄膜及其制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种用于铁电存储器的BiFeO<sub>3</sub>-基三明治结构薄膜及其制备方法，属于微电子新材料技术领域。所述的BiFeO<sub>3</sub>-基三明治结构薄膜的上、下表层组分均为BiFe<sub>1-x</sub>H<sub>x</sub>O<sub>3</sub>，H为掺杂的四价及四价以上的高价离子，中间层组分为BiFe<sub>1-x</sub>L<sub>x</sub>O<sub>3</sub>，L为掺杂的三价及三价以下的离子；其制备方法为采用化学溶液法结合层层退火工艺，用旋转涂膜法将前驱体溶液沉积在不同材料的表层制得。本发明通过采用特殊的三明治结构，极大的降低了薄膜的漏电流，同时有效的降低矫顽场，明显的提高电荷保持力，在500℃～600℃的退火温度下得到了具有低漏电流、大剩余极化、低矫顽场，很好的电荷保持力的铁电薄膜，在未来的铁电存储器中具有良好的实用前景。 | ||
| 申请公布号 | CN101388395A | 申请公布日期 | 2009.03.18 |
| 申请号 | CN200810158354.3 | 申请日期 | 2008.10.31 |
| 申请人 | 济南大学 | 发明人 | 胡广达;闫静;陈雪梅;杨长红;武卫兵;殷在梅;程玲;王金 |
| 分类号 | H01L27/115(2006.01)I;H01L21/02(2006.01)I;H01L21/8247(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/115(2006.01)I |
| 代理机构 | 济南泉城专利商标事务所 | 代理人 | 李桂存 |
| 主权项 | 1. 一种用于铁电存储器的BiFeO3-基三明治结构薄膜，其特征在于：上、下表层材料均为掺杂四价及四价以上高价离子的BiFeO3薄膜，中间层材料为掺杂三价及三价以下低价离子的BiFeO3薄膜。 | ||
| 地址 | 250022山东省济南市市中区济微路106号济南大学材料科学与工程学院 | ||