| 发明名称 | 通过加热衬底生产的半导体器件的制造设备和制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种半导体器件的制造设备和制造方法，允许使衬底(1)的温度分布均匀。用于半导体器件的制造设备包括：夹持衬底(1)的基座(2)；被安排在基座(2)的背侧的加热器；位于衬底(1)和基座(2)之间的包括支撑部分(12)的支撑构件(11)；以及位于基座(2)和支撑构件(11)之间的间隔物(14)。间隔物(14)具有与设置所述支撑部分(12)的地方对应的、在支撑构件(11)的相反面侧形成的开口(15)。 | ||
| 申请公布号 | CN101388330A | 申请公布日期 | 2009.03.18 |
| 申请号 | CN200810160808.0 | 申请日期 | 2008.09.16 |
| 申请人 | 住友电气工业株式会社 | 发明人 | 上野昌纪;上田登志雄;渡边容子 |
| 分类号 | H01L21/00(2006.01)I;H01L21/687(2006.01)I;H01L21/20(2006.01)I;H01L33/00(2006.01)I;C30B25/12(2006.01)I;C30B25/10(2006.01)I;C23C16/458(2006.01)I;C23C16/46(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 孙志湧;穆德骏 |
| 主权项 | 1. 一种用于半导体器件的制造设备，包括：夹持衬底(1)的基座(2)；加热器构件(6)，相反于夹持所述衬底(1)的所述基座(2)的一侧，所述加热器构件(6)被安排在所述基座(2)的背侧，用于加热所述衬底(1)；支撑构件(11)，其位于所述衬底(1)和所述基座(2)之间，包括支撑所述衬底(1)的支撑部分(12)；以及间隔物(14)，其位于所述基座(2)和所述支撑构件(11)之间，并且具有与设置所述支撑部分(12)的地方对应的、在所述支撑构件(11)的相反面侧形成的开口(15)。 | ||
| 地址 | 日本大阪府大阪市 | ||