| 发明名称 | 具有低场室温巨磁电阻效应的Fe<sub>x</sub>C<sub>1-x</sub>/Fe/Si多层膜材料 | ||
| 摘要 | 本发明公开了属于磁学量传感器材料的具有低场室温巨磁电阻效应的Fe<sub>x</sub>C<sub>1-x</sub>/Fe/Si多层膜材料。在Si(100)基片上依次为Fe薄膜和Fe<sub>x</sub>C<sub>1-x</sub>薄膜。该材料在温度为300K、外加磁场为100奥斯特的条件下的正磁电阻效应可高达36.6％。Fe-C材料价格低廉，性能优越，是一种很好的磁传感器材料。 | ||
| 申请公布号 | CN100470868C | 申请公布日期 | 2009.03.18 |
| 申请号 | CN200410074734.0 | 申请日期 | 2004.09.14 |
| 申请人 | 清华大学 | 发明人 | 章晓中;薛庆忠;谈国太;田鹏 |
| 分类号 | H01L43/08(2006.01)I;G11B5/39(2006.01)I | 主分类号 | H01L43/08(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京众合诚成知识产权代理有限公司 | 代理人 | 李光松 |
| 主权项 | 1. 具有低场室温巨磁电阻效应的FexC1-x/Fe/Si多层膜材料，其特征在于：在晶格取向为Si100基片上由下至上依次沉积Fe薄膜和FexC1-x薄膜，进而得到FexC1-x/Fe/Si多层膜材料。 | ||
| 地址 | 100084北京市100084-82信箱 | ||