发明名称 Verfahren zur Herstellung und Kontaktierung von elektronischen Bauelementen mittels einer Substratplatte, insbesondere DCB-Keramik-Substratplatte
摘要 <p>Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zur Kontaktierung mindestens eines ungehäusten elektronischen Bauelements (1), insbesondere eines Leistungsbauelements oder Halbleiterleistungsbauelements, mit mindestens einer jeweils auf einer Oberseite (3) und/oder einer Unterseite (5) angeordneten Anschlussfläche (7) zur Befestigung und/oder zur elektrischen Kontaktierung. Es sollen eine kostengünstige elektrische Kontaktierung mindestens eines ungehäusten elektronischen Bauelements (1), insbesondere eines Leistungsbauelements oder Halbleiterleistungsbauelements, insbesondere für den Hochspannungsbereich größer als 1000 Volt, mit Anschlussflächen (7) zur Befestigung und/oder zur elektrischen Kontaktierung auf einer Oberseite (3) und/oder Unterseite (5) bereitzustellen. Des Weiteren sollen eine hohe Integrationsdichte, niederinduktives Verhalten der Kontaktierung, eine hohe Stromtragfähigkeit, eine wirksame Kühlung und/oder eine hohe Zuverlässigkeit hinsichtlich elektrischer und thermischer Zykelbeanspruchung geschaffen sein. Das Bauelement (1) ist mit dessen Unterseite (5), im Bereich der Anschlussfläche (7), mit jeweils einer gegenüberliegenden Anschlussfläche (9) auf einem Subsstigt und/oder elektrisch kontaktiert; eine elektrisch isolierende Trägerfolie (13) außerhalb des Bereichs der Anschlussfläche (7) und über die Unterseite (5) hinausgehend, ist auf dem Substrat (11) auf der dem Bauelement (1) zugewandten Seite ...</p>
申请公布号 DE102007041921(A1) 申请公布日期 2009.03.05
申请号 DE20071041921 申请日期 2007.09.04
申请人 SIEMENS AG 发明人 KALTENBACHER, AXEL;KASPAR, MICHAEL;SCHIMETTA, GERNOT;WEIDNER, KARL;WEINKE, ROBERT;ZAPF, JOERG
分类号 H01L21/60;H01L25/07 主分类号 H01L21/60
代理机构 代理人
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