| 发明名称 | 晶圆缺陷的检测方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了晶圆缺陷的检测方法，涉及半导体检测领域。该晶圆缺陷的检测方法包括如下步骤：选定检测区域，该检测区域是以晶圆中心为圆心，半径是晶圆半径十分之一至五分之一的圆形区域；在该检测区域内选取若干个呈反射状均匀分布的检测点，检测点大于49个；对每一检测点进行分析，找出缺陷的位置。与现有技术相比，本发明的检测方法通过在较小区域设置较多的检测点，从而可以有效检测出晶圆中心区域出现的细小缺陷，从而及时改善晶圆的生产条件，提高了晶圆的成品率。 | ||
| 申请公布号 | CN101378024A | 申请公布日期 | 2009.03.04 |
| 申请号 | CN200710045485.6 | 申请日期 | 2007.08.31 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 张玉;李彬;肖春光;王洋;付鹏 |
| 分类号 | H01L21/66(2006.01) | 主分类号 | H01L21/66(2006.01) |
| 代理机构 | 上海思微知识产权代理事务所 | 代理人 | 屈蘅 |
| 主权项 | 1.一种晶圆缺陷的检测方法，其特征在于，该检测方法包括:选定检测区域，该检测区域是以晶圆中心为圆心，半径是晶圆半径十分之一至五分之一的圆形区域；在该检测区域内选取若干个呈反射状均匀分布的检测点，检测点大于49个；对每一检测点进行分析，找出缺陷的位置。 | ||
| 地址 | 201203上海市张江路18号 | ||