半导体装置的制造方法

摘要

本发明涉及一种半导体装置的制造方法，其中，可不依赖于阻挡金属层的叠层状态地防止因阻挡金属层薄膜化或断线而导致的布线材料向衬底的渗出。在上述阻挡金属层淀积后，通过用绝缘膜等在侧壁上形成保护层，从而可不依赖于连接孔的侧壁及阻挡金属层的叠层状态而防止在后续的合金热处理影响下布线材料向衬底的渗出。另外，通过形成保护层，可使侧壁变得更平滑，因此，同时也可改善布线材料的覆盖。

主权项

1.一种半导体装置的制造方法，其特征在于所述方法由如下工序构成：在半导体衬底的表面上形成第1层间绝缘膜；在所述第1层间绝缘膜的表面上形成第2层间绝缘膜；在涂敷于所述第2层间绝缘膜表面的光刻胶膜上形成图案；以所述光刻胶膜作为掩模，蚀刻所述第2层间绝缘膜和所述第1层间绝缘膜，形成到达所述半导体衬底表面的开口部；在所述开口部的内壁和所述第2层间绝缘膜表面上形成阻挡金属层；在所述阻挡金属层表面上淀积由绝缘膜形成的保护膜；对所述保护膜进行各向异性蚀刻，并留存侧壁状绝缘膜，以覆盖所述开口部侧壁的阻挡金属层表面以及位于接触孔侧壁与接触孔底面的接合部的接触侧底面的阻挡金属层表面；在所述侧壁状绝缘膜、所述阻挡金属层及所述第2层间绝缘膜表面上淀积布线材料；以及将所述阻挡金属层和所述布线材料蚀刻成要求的形状。