| 发明名称 | 触点结构及制造方法，薄膜晶体管阵列面板及制造方法 | ||
| 摘要 | 在衬底上形成栅极线。依次淀积栅极绝缘层，本征a-Si层，非本征a-Si层，Cr构成的下膜，和含Al金属构成的上膜。在上膜上形成光刻胶，光刻胶在布线区域上具有较厚的第一部分，在沟道区域上具有较薄的第二部分。湿蚀刻在其余区域上的上膜，与光刻胶的第二部分一起干蚀刻其余区域上的下膜和a-Si层。除去沟道区域上的上膜、下膜、和非本征a-Si层。用湿蚀刻除去沟道区域上的上膜和下膜，除去沟道区域上的上膜后，再除去光刻胶的第一部分。 | ||
| 申请公布号 | CN100465704C | 申请公布日期 | 2009.03.04 |
| 申请号 | CN03164805.3 | 申请日期 | 2003.09.02 |
| 申请人 | 三星电子株式会社 | 发明人 | 白范基;崔权永;李荣埈;姜奉周;林承泽;孔香植;金垣炷 |
| 分类号 | G02F1/133(2006.01);H01L21/00(2006.01);H01L29/786(2006.01);H01L21/336(2006.01);G03F7/00(2006.01) | 主分类号 | G02F1/133(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 李晓舒;魏晓刚 |
| 主权项 | 1.一种制造薄膜晶体管阵列面板的方法，包括以下步骤:在绝缘衬底上形成栅极导电层；形成栅极绝缘层；形成包括本征膜和非本征膜的半导体层；形成包括数据线和漏电极的数据导电层；在至少一部分栅极导电层和数据导电层上形成具有接触孔的保护层；以及形成通过接触孔连接到至少一部分栅极导电层、数据导电层和衬底上的IZO导电层，其中，栅极导电层和数据导电层的至少一种包括可干蚀刻的下膜和由Al或Al合金制成的上膜，其中上膜的边缘位于下膜的边缘的内侧，其中，所述接触孔暴露下膜的边缘以及与下膜的边缘相邻的衬底，且其中，数据导电层和半导体层的形成是通过用单一光刻胶蚀刻而进行的，且光刻胶包括:位于布线区域上的第一厚度的第一部分，位于沟道区域上且具有比第一厚度小的第二厚度的第二部分，以及位于其余区域上并比第二部分薄的第三部分。。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||