| 发明名称 | III族氮化物半导体和其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及III族氮化物半导体和其制造方法。III族氮化物半导体的制造方法，其具有下述工序：在AlN模板基板或者AlN单晶基板上形成金属层的工序，所述AlN模板基板或者AlN单晶基板是在包含蓝宝石、SiC、Si的任一者的基板上以0.1μm～10μm的厚度形成AlN单晶层而成的；将该金属层在混合了氨的气体氛围下进行加热氮化处理，形成具有大致三角锥或者三角梯形状的多个微结晶的金属氮化物层的工序；在该金属氮化层上形成III族氮化物半导体层的工序。 | ||
| 申请公布号 | CN101378015A | 申请公布日期 | 2009.03.04 |
| 申请号 | CN200810214903.4 | 申请日期 | 2008.08.28 |
| 申请人 | 东北技术使者株式会社;同和电子科技有限公司 | 发明人 | 八百隆文;曹明焕;鸟羽隆一 |
| 分类号 | H01L21/02(2006.01);H01L21/205(2006.01);H01L23/00(2006.01);H01L33/00(2006.01) | 主分类号 | H01L21/02(2006.01) |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 熊玉兰;李平英 |
| 主权项 | 1.III族氮化物半导体的制造方法，其具有下述工序:在AlN模板基板或者AlN单晶基板上形成金属层的工序，所述AlN模板基板或者AlN单晶基板是在包含蓝宝石、SiC、Si的任一者的基板上以0.1μm～10μm的厚度形成AlN单晶层而成的；将该金属层在混合了氨的气体氛围下进行加热氮化处理，形成具有大致三角锥或者三角梯形状的多个微结晶的金属氮化物层的工序；在该金属氮化层上形成III族氮化物半导体层的工序。 | ||
| 地址 | 日本宫城县仙台市 | ||