| 发明名称 | 感放射线组合物及图案形成方法及半导体装置的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种负型感放射线组合物，其适用于包含ArF受激准分子激光波长193nm的远紫外线的曝光，可避免因显像液的渗透所造成的膨润或图案的线间残留抗蚀膜而使解像度劣化，可形成高解像度的图案。本发明解决上述问题的方法是提供一种感放射线组合物，其包含在酯部上具有γ-羟基羧酸的丙烯酸酯聚合物及酸产生剂。 | ||
| 申请公布号 | CN100465784C | 申请公布日期 | 2009.03.04 |
| 申请号 | CN02151388.0 | 申请日期 | 2002.11.20 |
| 申请人 | 株式会社日立制作所 | 发明人 | 横山义之;服部孝司 |
| 分类号 | G03F7/027(2006.01);G03F7/16(2006.01);G03F7/20(2006.01);H01L21/027(2006.01) | 主分类号 | G03F7/027(2006.01) |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 陈昕 |
| 主权项 | 1.一种感放射线组合物，其特征在于，其包含在酯部具有γ-羟基羧酸的丙烯酸酯聚合物及酸产生剂，所述聚合物为至少具有一般式(1)、(2)或(3)所示的重复单元的聚合物:<img file="C02151388C00021.GIF" wi="622" he="1767" />在一般式(1)、(2)或(3)中R1、R2、R3、R4表示氢原子或碳原子数为1到10的烷基。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||