摘要 |
本发明是关于一种制造用作太阳能电池吸收层的CuInSe<SUB>2</SUB>和CuIn<SUB>1-x</SUB>Ga<SUB>x</SUB>Se<SUB>2</SUB>薄膜的方法,所述薄膜的构成接近于化学当量比(chemicalequivalence ratio)。本发明提供的制造太阳能电池用薄膜的方法包括:使用[Me<SUB>2</SUB>In-(μSeMe)]<SUB>2</SUB>前体,通过金属有机化学气相沉积法在基材上形成InSe薄膜;使用(hfac)Cu(DMB)前体,通过金属有机化学气相沉积法在InSe薄膜上形成Cu<SUB>2</SUB>Se薄膜;并且使用[Me<SUB>2</SUB>In-(μSeMe)]<SUB>2</SUB>前体,通过金属有机化学气相沉积法在Cu<SUB>2</SUB>Se薄膜上形成CuInSe<SUB>2</SUB>化合物薄膜。该方法还包括使用[Me<SUB>2</SUB>Ga-(μSeMe)]<SUB>2</SUB>前体,通过金属有机化学气相沉积法在CuInSe<SUB>2</SUB>化合物薄膜上形成CuIn<SUB>1-x</SUB>Ga<SUB>x</SUB>Se<SUB>2</SUB>薄膜。 |