发明名称 |
缺陷检测方法 |
摘要 |
本发明提供一种缺陷检测方法。首先提供一半导体检测件,且该半导体检测件中包括至少一缺陷,然后利用一失效分析(FA)技术,于该半导体检测件的背面检测出至少一可疑异常区域(suspected area),接着利用一物理能量,于该半导体检测件背面的该可疑异常区域周围形成多个参考标记,最后利用该多个参考标记,于该半导体检测件的正面标定出该缺陷的相对位置,其中该物理能量为激光。 |
申请公布号 |
CN100465612C |
申请公布日期 |
2009.03.04 |
申请号 |
CN200510076355.X |
申请日期 |
2005.06.10 |
申请人 |
联华电子股份有限公司 |
发明人 |
林坤 |
分类号 |
G01N13/10(2006.01);G01N21/95(2006.01);H01L21/66(2006.01) |
主分类号 |
G01N13/10(2006.01) |
代理机构 |
北京市柳沈律师事务所 |
代理人 |
陶凤波;侯宇 |
主权项 |
1.一种缺陷检测方法,该缺陷检测方法包括下列步骤:提供一半导体检测件,且该半导体检测件中包括至少一缺陷;利用一失效分析技术,于该半导体检测件的背面检测出至少一可疑异常区域;利用一物理能量,于该半导体检测件背面的该可疑异常区域周围形成多个参考标记;以及利用该多个参考标记,于该半导体检测件的正面标定出该缺陷的相对位置,其中所述物理能量为激光。 |
地址 |
中国台湾 |